Infineon bringt ersten 100-V-GaN-Transistor für Automotive auf den Markt
Neue CoolGaN-Familie steigert Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit für softwaredefinierte und elektrische Fahrzeuge.
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Die Infineon Technologies AG macht Fortschritte auf dem Weg zu einem führenden Anbieter von Galliumnitrid- (GaN)-Lösungen. Durch die Einführung ihrer ersten Galliumnitrid-Transistorfamilie, die den Standard des Automotive Electronics Council (AEC) für Automobilanwendungen erfüllt, festigt das Unternehmen seine Position als weltweit führender Anbieter von Halbleitern für die Automobilindustrie.
Infineon bringt die CoolGaN™ Automotive Transistor 100 V G1-Familie auf den Markt und hat mit der Auslieferung von Mustern seiner für Automobilanwendungen gemäß AEC-Q101 qualifizierten Vorproduktionsprodukten begonnen – darunter CoolGaN-Automobil-Transistoren für Hochvoltspannung (HV) und bidirektionale Schalter. Dies unterstreicht das Engagement von Infineon für innovative Lösungen, die den neuen Anforderungen der Automobilindustrie gerecht werden – von Niederspannungs-Infotainmentsystemen, die mit dem neuen 100-V-GaN-Transistor realisiert werden, bis hin zu zukünftigen HV-Produktlösungen in Onboard-Chargern und Traktionswechselrichtern.
„Infineon wird seine weltweit führende Position bei Halbleiterlösungen für die Automobilindustrie weiter ausbauen, indem es die GaN-Leistungstechnologie in den wachsenden Markt für softwaredefinierte und elektrische Fahrzeuge einführt“, sagt Johannes Schoiswohl, Leiter des Geschäftsbereichs GaN bei Infineon. „Unsere 100-V-GaN-Autotransistorlösungen und die bevorstehende Erweiterung des Portfolios um den Hochvoltspannungsbereich sind ein wichtiger Meilenstein in der Entwicklung energieeffizienter und zuverlässiger Leistungstransistoren für Automobilanwendungen.“
Automobilfunktionen wie Fahrerassistenzsysteme (ADAS), neue Klimatisierungs- und Infotainmentsysteme erfordern eine höhere Leistung und effizientere Lösungen zur Energieumwandlung bei gleichzeitiger Minimierung der Batterie-Belastung. Daher wächst die Nachfrage nach kompakten und effizienten Stromversorgungslösungen, die durch das Halbleitermaterial Galliumnitrid in hohem Maße ermöglicht werden. GaN-Leistungsbauelemente bieten im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Komponenten eine höhere Energieeffizienz bei kleinerer Bauform und geringeren Systemkosten.
Insbesondere mit der Umstellung von 12-V- auf 48-V-Systeme in softwaredefinierten Fahrzeugen (SDV) ermöglichen GaN-basierte Stromumwandlungssysteme nicht nur eine verbesserte Leistung, sondern auch fortschrittliche Funktionen wie Steer-by-Wire und Echtzeit-Fahrwerkssteuerung, wodurch Fahrkomfort und Handling verbessert werden. Die neue Familie der 100-V-CoolGaN-Transistoren von Infineon zeichnet sich durch hohe Effizienz bei platzsparender Größe aus und eignet sich ideal für Anwendungen wie Zonensteuerung und Haupt-DC/DC-Wandler, leistungsstarke Hilfssysteme und Class-D-Audioverstärker.
Infineon wird sein Portfolio an GaN-Halbleiterlösungen für den Automobilbereich kontinuierlich erweitern, um die Einführung von GaN-basierten Lösungen in der Automobilindustrie weiter voranzutreiben.
Verfügbarkeit
Die neuen 100-V-CoolGaN-Transistoren für Automotive-Anwendungen von Infineon sind jetzt verfügbar. Weitere Informationen zu IGC033S10S1Q und IGB110S10S1Q sind im Internet verfügbar.
Infineon liefert erste Muster seiner für Automobilanwendungen gemäß AEC-Q101 qualifizierten Vorserienproduktpalette, darunter Hochvoltspannungs-CoolGaN-Automobil-Transistoren und bidirektionale Schalter.
Entdecken Sie die GaN-Lösungen von Infineon für die Automobilindustrie auf der Infineon OktoberTech Silicon Valley am 16. Oktober.
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