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Infineon stellt 1400-V-CoolSiC-MOSFETs für höhere Effizienz vor
Das TO-247PLUS-4-Gehäuse bietet bessere Wärmeleistung, höhere Spannungstoleranz und zuverlässigen Betrieb bis 200 °C für kompakte, leistungsstarke Industrie- und E-Mobilitätslösungen.
www.infineon.com
Die CoolSiC MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse eignen sich ideal für Anwendungen, bei denen es auf eine hohe Leistungsdichte ankommt – etwa in CAVs, beim Laden von Elektrofahrzeugen und in Batterie-Energiespeichersystemen.
Hochleistungsanwendungen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Batterie-Energiespeichersysteme sowie Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAVs) stellen immer höhere Anforderungen an Leistungsdichte und Effizienz auf Systemebene. Gleichzeitig entstehen neue Herausforderungen im Design: Zuverlässiger Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen, Robustheit gegenüber transienten Überlasten und eine optimierte Systemleistung sind gefragt. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, bringt die Infineon Technologies AG die CoolSiC™ MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse auf den Markt. Die Bauteile unterstützen höhere Zwischenkreisspannungen und ermöglichen eine verbesserte thermische Leistung, eine geringere Systemgröße sowie eine höhere Zuverlässigkeit.
Die Gehäusetechnologie erlaubt Reflow-Löten bei 260°C für bis zu drei Zyklen sowie einen zuverlässigen Betrieb bei Sperrschichttemperaturen bis zu 200°C – bei gleichzeitig hoher Spitzenstromfähigkeit. Dank der .XT-Verbindungstechnologie von Infineon bieten die Bauteile eine verbesserte Wärmeleistung und erhöhte mechanische Robustheit für anspruchsvolle Einsatzbereiche. Die neue 1400-V-Spannungsklasse schafft zusätzlichen Spielraum für schnelleres Schalten und vereinfacht Schutzmaßnahmen gegen Überspannung. Das macht ein Leistungsderating überflüssig und trägt zur Robustheit des Gesamtsystems bei.
Die CoolSiC MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse sind in RDS(on)-Klassen von 6 bis 29 mΩ verfügbar und eignen sich ideal für Anwendungen, bei denen es auf eine hohe Leistungsdichte ankommt – etwa in CAVs, beim Laden von Elektrofahrzeugen und in Batterie-Energiespeichersystemen. Zusätzlich bietet Infineon CoolSiC MOSFETs 1400 V auch im TO-247-4-Gehäuse mit erhöhter Kriechstrecke an. Die RDS(on)-Klassen reichen dabei von 11 bis 38 mΩ. Diese Bauelemente eignen sich zusätzlich auch für Anwendungen wie Photovoltaik.
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Hochleistungsanwendungen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Batterie-Energiespeichersysteme sowie Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAVs) stellen immer höhere Anforderungen an Leistungsdichte und Effizienz auf Systemebene. Gleichzeitig entstehen neue Herausforderungen im Design: Zuverlässiger Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen, Robustheit gegenüber transienten Überlasten und eine optimierte Systemleistung sind gefragt. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, bringt die Infineon Technologies AG die CoolSiC™ MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse auf den Markt. Die Bauteile unterstützen höhere Zwischenkreisspannungen und ermöglichen eine verbesserte thermische Leistung, eine geringere Systemgröße sowie eine höhere Zuverlässigkeit.
Die Gehäusetechnologie erlaubt Reflow-Löten bei 260°C für bis zu drei Zyklen sowie einen zuverlässigen Betrieb bei Sperrschichttemperaturen bis zu 200°C – bei gleichzeitig hoher Spitzenstromfähigkeit. Dank der .XT-Verbindungstechnologie von Infineon bieten die Bauteile eine verbesserte Wärmeleistung und erhöhte mechanische Robustheit für anspruchsvolle Einsatzbereiche. Die neue 1400-V-Spannungsklasse schafft zusätzlichen Spielraum für schnelleres Schalten und vereinfacht Schutzmaßnahmen gegen Überspannung. Das macht ein Leistungsderating überflüssig und trägt zur Robustheit des Gesamtsystems bei.
Die CoolSiC MOSFETs 1400 V G2 im TO-247PLUS-4-Reflow-Gehäuse sind in RDS(on)-Klassen von 6 bis 29 mΩ verfügbar und eignen sich ideal für Anwendungen, bei denen es auf eine hohe Leistungsdichte ankommt – etwa in CAVs, beim Laden von Elektrofahrzeugen und in Batterie-Energiespeichersystemen. Zusätzlich bietet Infineon CoolSiC MOSFETs 1400 V auch im TO-247-4-Gehäuse mit erhöhter Kriechstrecke an. Die RDS(on)-Klassen reichen dabei von 11 bis 38 mΩ. Diese Bauelemente eignen sich zusätzlich auch für Anwendungen wie Photovoltaik.
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