Renesas präsentiert DDR5-RCD Gen6 mit Rekordgeschwindigkeit von 9600 MT/s

Der branchenweit erste Gen6-Register-Taktgeber wird bereits an ausgewählte Kunden bemustert.

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Renesas Electronics Corporation, ein führender Anbieter innovativer Halbleiterlösungen, liefert die ersten Register-Taktgeber (Registered Clock Driver; RCD) der sechsten Generation für DDR5-Registered-Dual-Inline-Speichermodule (RDIMMs) aus. Der neue RCD ist der erste, der eine Datenrate von 9600 Mega Transfers pro Sekunde (MT/s) erreicht und damit den bisherigen Industriestandard übertrifft. Dieser Durchbruch markiert einen wesentlichen Fortschritt im Vergleich zur bisherigen Leistung von 8800 MT/s der Gen5-RCDs von Renesas. Damit setzt das Unternehmen einen neuen Maßstab für die Leistung von Speicherschnittstellen in Rechenzentrumsservern.

Hauptmerkmale des Gen6-DDR5-RCD von Renesas

• 10 % höhere Bandbreite im Vergleich zum Gen5-RCD von Renesas (9600 MT/s gegenüber 8800 MT/s)
• Abwärtskompatibel zu Gen5-Plattformen – ermöglicht einen nahtlosen Upgrade-Pfad
• Optimierte Signalqualität und Energieeffizienz – unterstützt anspruchsvolle Workloads wie KI, HPC und LLM
• Erweiterte Decision-Feedback-Equalization-Architektur (DFE) – bietet acht Taps und eine Granularität von 1,5 mV für präzise Margenabstimmung
• Decision Engine Signal Telemetry and Margining (DESTM) – verbesserte Systemdiagnose mit Echtzeit-Anzeige der Signalqualität, Margensichtbarkeit und Diagnose-Feedback bei höheren Geschwindigkeiten

Die neuen DDR5-RDIMMs sind erforderlich, um mit den ständig steigenden Anforderungen an die Speicherbandbreite in Bereichen wie Künstliche Intelligenz (KI), High-Performance-Computing (HPC) und anderen Rechenzentrumsanwendungen Schritt zu halten. Renesas spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung, dem Design und der Implementierung dieser neuen RDIMMs und arbeitet dabei eng mit Branchenführern zusammen – darunter CPU- und Speicherhersteller sowie Endkunden. Renesas ist führend im Bereich der DDR5-RCDs und baut dabei auf seine langjährige Erfahrung in den Bereichen Signalintegrität und Energieoptimierung auf.

„Das rasante Wachstum generativer KI führt zu einer steigenden Anzahl an SoC-Kernen. Dadurch entsteht eine beispiellose Nachfrage nach Speicherbandbreite und -kapazität, die sich als entscheidende Faktoren für die Leistung von Rechenzentren erweisen“, erklärt Sameer Kuppahalli, Vice President der Memory Interface Division bei Renesas. „Mit dem DDR5-Register-Taktgeber der sechsten Generation unterstreicht Renesas sein kontinuierliches Engagement, Innovation bei Speicherschnittstellen voranzutreiben, neue technologische Wege zu erschließen und Lösungen zu liefern, die den Marktanforderungen stets einen Schritt voraus sind.“

„Samsung hat über mehrere Produktgenerationen hinweg mit Renesas bei der Entwicklung von Komponenten für Speicherschnittstellen zusammengearbeitet, darunter auch bei der erfolgreichen Qualifizierung des Gen5-DDR5-RCD und des PMIC 5030“, erläutert Indong Kim, VP of DRAM Product Planning bei Samsung Electronics. „Wir freuen uns nun darauf, den Gen6-RCD in unsere DDR5-DIMMs über verschiedene SoC-Plattformen hinweg zu integrieren. So werden wir den wachsenden Anforderungen von KI-, HPC- und anderen speicherintensiven Workloads gerecht.“

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