Infineon erweitert CoolSiC-Portfolio für effiziente Leistungsumwandlung

Siliziumkarbid-(SiC-)Bauelemente werden zunehmend in Elektromobilität, EV-Ladeinfrastruktur und industriellen Leistungsumwandlungssystemen eingesetzt, in denen Effizienz und thermische Performance entscheidend sind. Um diese Anwendungen zu unterstützen, hat Infineon Technologies sein CoolSiC-MOSFET-Portfolio der 750-V-G2-Generation um neue Gehäusevarianten erweitert, die für hohe Leistungsdichte und robustes Schaltverhalten ausgelegt sind.

Erweiterte CoolSiC-Optionen für Automobil- und Industrieanwendungen
Das Portfolio umfasst nun Q-DPAK- und D2PAK-Gehäuse mit typischen RDS(on)-Werten von bis zu 60 mΩ bei 25 °C. Diese Bauteile eignen sich für ein breites Spektrum an Leistungsumwandlungsaufgaben: On-Board-Ladegeräte und HV-LV-DC-DC-Wandler in Elektrofahrzeugen sowie Server- und Telekom-Schaltnetzteile und EV-Ladeinfrastrukturen in industriellen Anwendungen.

Für Anwendungen, die sehr geringe Leitverluste erfordern, bietet die Serie außerdem eine Ultra-Low-RDS(on)-Variante von 4 mΩ bei 25 °C. Dieser niedrige Widerstand ist für statische Schaltfunktionen wie Solid-State-Leistungsschalter, eFuses, Hochvolt-Batterietrennschalter und Solid-State-Relais geeignet, bei denen minimale Durchlassverluste die Systemeffizienz direkt verbessern.

Top-Side-Cooling für höhere thermische Leistung
Eine zentrale Erweiterung des Portfolios ist das Q-DPAK-Gehäuse mit Top-Side-Cooling. Durch die Wärmeabfuhr über die Gehäuseoberseite statt über die Leiterplatte ermöglicht es effizientere thermische Pfade und vereinfacht das Kühlkonzept in Hochleistungsanwendungen. Diese Architektur ist besonders für Systeme relevant, bei denen begrenzte thermische Reserven die Leistungsdichte bestimmen.

Die Bauteile weisen zudem verbesserte Gütefaktoren wie RDS(on) × QOSS und RDS(on) × Qfr auf. Diese Eigenschaften reduzieren Schaltverluste in Hard-Switching- und Soft-Switching-Topologien und steigern die Effizienz insbesondere in Hard-Switching-Anwendungen, bei denen die Schaltenergie maßgeblich ist.

Robustes Gate-Verhalten und größere Auslegungsspielräume
Die CoolSiC-MOSFET-750-V-G2-Technologie kombiniert eine typische Gate-Schwellenspannung VGS(th) von 4,5 V bei 25 °C mit einem niedrigen QGD/QGS-Verhältnis. Diese Kombination hilft, parasitäres Einschalten während schneller Schaltvorgänge zu minimieren – entscheidend für die Zuverlässigkeit in Hochfrequenzsystemen oder Anwendungen mit hohen dv/dt-Belastungen.

Die Bauteile unterstützen statische Gatespannungen bis −7 V und transiente Gatespannungen bis −11 V und bieten damit eine hohe Kompatibilität zu bestehenden Gate-Treiber-Plattformen. Diese erweiterten Spannungsbereiche verschaffen Entwicklern zusätzliche Sicherheitsmargen im Umgang mit Störimpulsen, Schalttransienten oder gemischten Technologieansätzen.

www.infineon.com