Leistungshalbleitermodul-Entwicklungszentrum in Warstein

Das Projekt adressiert den wachsenden Infrastrukturbedarf für Forschung und Entwicklung im Bereich energieeffizienter Leistungselektronik. Angesichts steigender Anforderungen an Leistungshalbleiter auf Basis von Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid erfordert die Produktqualifizierung spezialisierte Laborumgebungen mit schwingungsgedämpften Messplätzen und integrierten Validierungssystemen.

Partner und Verantwortlichkeiten
Infineon Technologies AG agierte als Hauptnutzer und Betreiber des Entwicklungszentrums, während GARBE Institutional Capital gemeinsam mit BC Partners Real Estate als Projektentwickler und Investor im mittleren zweistelligen Millionen-Euro-Bereich fungierte. Die Kooperation bündelte immobilienwirtschaftliche Investitionskraft mit der technischen Expertise von Infineon im Bereich der Leistungshalbleitermodul-Entwicklung.

Technische Konzeption und Infrastruktur
Das technische Konzept umfasst rund 1.200 Quadratmeter hochspezialisierte Laborflächen auf drei Etagen, die direkt an moderne Büro- und Kommunikationszonen angebunden sind. Die bauliche Umsetzung beinhaltet eine Holz-Hybrid-Konstruktion, ein Wärmepumpenkonzept und eine Photovoltaikanlage. Eine wesentliche technische Besonderheit stellt die mechanische Entkopplung der Bodenplatte im Labor für mechanische Validierung dar, wodurch gebäudeübergreifende Schwingungen von hochpräzisen Messsystemen und 3D-Scannern ferngehalten werden.

Implementierung und Integration
Die Implementierung erfolgte am bestehenden Standort in Warstein als Erweiterung der Infrastruktur für den Geschäftsbereich Green Energy Modules & Systems sowie die Division Automotive. Die Architektur vernetzt das Labor für Materialtechnologie, das Labor für elektrische Validierung sowie Umrichter- und Motorprüfstände direkt mit den Entwicklungsabteilungen, um iterative Testzyklen zu verkürzen.

Anwendungsbereiche und Branchen
Zielbranchen für die in Warstein entwickelten Leistungshalbleitermodule sind die Energieinfrastruktur, erneuerbare Energien, industrielle Antriebstechnik, Elektromobilität sowie Stromversorgungen für Rechenzentren. Konkrete Anwendungsfälle umfassen die Charakterisierung von Halbleiterbauelementen hinsichtlich ihres Schaltverhaltens und thermischer Belastungsgrenzen unter realitätsnahen Betriebsbedingungen.

Erwarteter Nutzen
Die Investition führt zu einer räumlichen Konzentration von Entwicklung und Validierung, wodurch Entwicklungszeiten von Leistungshalbleitermodulen bis zur Serienreife verkürzt und die Prüftiefe durch erweiterte Belastungstests erhöht werden.

Redigiert von Sucithra Mani, Induportals-Redakteurin – angepasst durch KI.

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