TOSHIBA STELLT NEUE LOW-POWER-FOTORELAIS MIT ERWEITERTEM BETRIEBSTEMPERATURBEREICH VOR

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) stellt die beiden 1-FORM-A (normally open) Fotorelais TLP223GA und TLP223J vor, die aus einem MOSFET bestehen, der optisch mit einer Infrarot-LED gekoppelt ist.

Die neuen Bausteine eignen sich für zahlreiche Anwendungen, darunter Smart Meter, Passiv-Infrarot-Sensoren (PIR) in Sicherheitssystemen und in der Gebäudeautomatisierung. Sie sind auch für den Einsatz in industriellen Anwendungen wie speicherprogrammierbaren Steuerungen (SPS), I/O-Schnittstellen und vielen Arten von Sensoren vorgesehen. Sie können überall dort eingesetzt werden, wo ein mechanisches Relais durch ein Halbleiterrelais ersetzt werden soll.

Beide Fotorelais verfügen über eine von Toshiba entwickelte LED mit hoher Lichtausbeute, die dafür sorgt, dass der Trigger-LED-Strom 2mA nicht überschreitet. Dies reduziert den Stromverbrauch im Vergleich zu bestehenden Toshiba-Produkten wie der Serie TLP240x um etwa 33 %. Der typische Durchlasswiderstand beträgt 17 Ω (TLP223GA) bzw. 30 Ω (TLP223J).

Die neuen Relais verfügen über eine Ausgangsklemmenspannung von 400 bzw. 600 V im AUS-Zustand. Der Dauerstrom im EIN-Zustand (ION) beträgt 120 bzw. 90 mA und der gepulste Strom im EIN-Zustand (IONP) beträgt das Dreifache dieser Werte.

Beide Relais bieten verbesserte Schalteigenschaften mit einer um ca. 50 % kürzeren Einschaltzeit (tON) auf max. 1ms beim TLP223GA bzw. 75 % und max. 0,5ms beim TLP223J im Vergleich zu existierenden Photorelays wie TLP240GA und TLP240J Der Betriebstemperaturbereich deckt -40 bis +110°C ab. Damit eignen sich die Relais für Geräte, die im Freien installiert werden. Die Isolationsspannung von 5000 Veff und Kriech- /Luftstrecken bis zu 8mm ermöglichen den Einsatz in Systemen, die eine verstärkte Isolation erfordern.

Beide Relais werden im 4-Pin-DIP-Gehäuse, bedrahtet oder als SMD-Option, ausgeliefert. Die Serienfertigung hat bereits begonnen.

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