Toshiba stellt 100V-n-Kanal-MOSFET zur Miniaturisierung von Stromversorgungen vor

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) bietet einen neuen 100V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET an, der in Toshibas U-MOSX-H-Prozess der neuesten Generation gefertigt wird. Der Baustein eignet sich für anspruchsvolle Anwendungen wie Schaltnetzteile in Rechenzentren und Kommunikationsbasisstationen sowie für industrielle Anwendungen.

Der neue TPH3R10AQM wurde zur Effizienz Steigerung entwickelt und erreicht einen Wert von nur 3,1 mΩ (max.) des wichtigen Drain-Source-Durchlasswiderstandes (RDS(ON)). Dies stellt eine Verbesserung von 16 % gegenüber dem aktuellen 100V-Produkt von Toshiba (TPH3R70APL) dar.

Der neue Leistungs-MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von 100 V und einen Drain-Strom (ID) von bis zu 120 A. Die niedrige Gate-Switch-Ladung (QSW) erhöht die Effizienz in Hochfrequenz-Anwendungen, während die erhöhte maximale Kanaltemperatur (Tch) von 175 °C den Aufwand an Wärmemanagement reduziert und damit die Größe und Kosten der Endgeräte verringert. Der neue Baustein hat seinen sicheren Betriebsbereich (SOA) im Vergleich zur früheren Generation um 76 % erweitert, wodurch er für den linearen Betrieb geeignet ist. Diese Erweiterung verbessert die Eignung und Leistungsfähigkeit in Hot-Swap-Schaltungen. Da der Gate-Schwellenspannungsbereich zwischen 2,5 und 3,5 V liegt, ist der Baustein außerdem weniger anfällig für Fehlauslösungen.

Der TPH3R10AQM wird im äußerst kompakten SOP-Advance(N)-Gehäuse ausgeliefert, so dass die Komponente eine Leiterplattengrundfläche von nur 4,9 mm x 6,1 mm einnimmt. Die Auslieferung des neuen MOSFETs hat bereits begonnen. Toshiba wird sein Angebot an robusten Leistungs-MOSFETs weiter ausbauen, um die Effizienz von Stromversorgungen durch niedrigere Verluste zu erhöhen und so zu einem geringeren Stromverbrauch beizutragen.

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