7. Generation der onsemi IGBT-Module optimieren Design und Kosten für Anwendungen im Bereich erneuerbarer Energien
QDual3-Modul bietet 10 Prozent mehr Leistung bei gleichem Formfaktor und thermischem Ansprechwert.
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Die neuesten onsemi 1200V QDual3 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Leistungsmodule der 7. Generation bieten eine höhere Leistungsdichte und bis zu 10 Prozent mehr Ausgangsleistung als andere auf dem Markt erhältliche Produkte. Basierend auf der neuesten Field Stop 7 (FS7) IGBT-Technologie senkt das 800-Ampere (A) QDual3-Modul dank branchenführender Effizienz die Systemkosten und optimiert das Design.
Der Kühlkörper des QDual3-Moduls hat eine erheblich reduzierte Größe, da die Verlustleistung um 200 Watt (W) geringer ist als bei vergleichbaren Produkten. QDual3 wurde für den Einsatz unter erschwerten Bedingungen entwickelt und ist daher ideal für Hochleistungskonverter wie beispielsweise Zentralwechselrichter in Solarparks, Energiespeichersystemen (ESS), landwirtschaftlichen Nutzfahrzeugen (CAV) oder industriellen Motorantrieben. Derzeit sind je nach Anwendung zwei Produkte erhältlich - NXH800H120L7QDSG und SNXH800H120L7QDSG.
Mehr Strom bei gleicher Systemgröße
Die zunehmende Nutzung erneuerbarer Energien erhöht den Bedarf an Lösungen, um Nachfragespitzen zu bewältigen und eine kontinuierliche Stromversorgung zu gewährleisten. Peak Shaving, d.h. die Reduzierung des Stromverbrauchs zu Spitzenlastzeiten, ist entscheidend, um das Stromnetz stabil zu halten und die Kosten zu senken. Mit den QDual3-Modulen können Anbieter Wechselrichter in Solaranlagen sowie ESS-Systeme herstellen, die bei gleicher Systemgröße mehr Strom ausgeben, effizientere Energiemanagement- und Speichermöglichkeiten bieten und eine reibungslose Integration von Solarstrom in das Netz ermöglichen. Darüber hinaus reduzieren die Module die Schwankungen der Solarenergie, indem sie überschüssige Energie in einem ESS speichern und so einen zuverlässigen und gleichmäßigen Energiefluss gewährleisten.
In großen Anlagen können QDual3-Module parallel geschaltet werden, um die Ausgangsleistung auf bis zu zwei MW zu erhöhen. Im Vergleich zu herkömmlichen 600-A-Modulen reduziert das 800-A-Modul die Anzahl der Module erheblich, was die Komplexität des Designs vereinfacht und die Systemkosten senkt.
Funktionsweise der IGBT-Module
Das QDual3-IGBT-Modul verfügt über eine 800-A-Halbbrückenkonfiguration, die die neuesten Gen7-Trench-Field-Stop-IGBT und eine Diodentechnologie integriert. Es wurde zudem mit onsemis fortschrittlichen Gehäusetechniken entwickelt, um Schalt- und Leitungsverluste zu reduzieren. Mit der FS7-Technologie konnte die Chipgröße um 30 Prozent reduziert werden, was mehr Chips pro Modul ermöglicht und die Leistungsdichte erhöht, um eine maximale Stromkapazität von bis zu 800 A oder mehr zu erreichen. Mit einer IGBT-VCE (SAT) von nur 1,75 V (bei 175 Grad Celsius) und einem niedrigen Eoff hat das 800-A-QDual3-Modul 10 Prozent weniger Energieverlust und Wärmeabgabe als die nächstbeste Alternative. Die QDual3-Module erfüllen auch die strengen Normen, die für eine Automobilanwendung erforderlich sind.
„Die zunehmende Elektrifizierung kommerzieller Flotten, beispielsweise bei Lastwagen und Bussen, und der Bedarf an erneuerbaren Energiequellen erfordern Lösungen, die Energie effizienter erzeugen, speichern und verteilen können. Wenn Strom aus erneuerbaren Quellen zum Netz, zu Speichersystemen oder zu nachgeschalteten Verbrauchern transferiert wird, werden möglichst geringe Leistungsverluste immer wichtiger", sagt Sravan Vanaparthy, Vice President, Industrial Power Division, Power Solutions Group, onsemi. „Mit seinem Standard-Pinout und seinen marktführenden Wirkungsgraden erhöht QDual3 sofort die Leistung gängiger Lösungen von Leistungselektronikherstellern."
Weitere Informationen:
Productseite: NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120L7QDSG
Data Sheet: NXH800H120L7QDSG, SNXH800H120LQDSG
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