Renesas schließt Übernahme von Transphorm ab
Renesas beschleunigt damit den Ausbau seines Produktangebots im Bereich Wide Bandgap und bringt mit Abschluss der Übernahme bereits 15 neue GaN-basierte Referenzdesigns auf den Markt.
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Renesas Electronics Corporation dass das Unternehmen die Übernahme von Transphorm, Inc. (“Transphorm” Nasdaq: TGAN), einem weltweit führenden Anbieter von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern (“GaN”), zum 20. Juni 2024 abgeschlossen hat. Mit Abschluss der Übernahme stellt Renesas ab sofort GaN-basierte Leistungshalbleiterprodukte und entsprechende Referenzdesigns bereit, um der steigenden Nachfrage nach WBG-Halbleiterprodukten (Wide Bandgap) zu begegnen.
WBG-Materialien wie GaN und Siliziumkarbid (SiC) gelten als Schlüsseltechnologien für Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Bauelementen zeichnen sie sich durch eine überlegene Leistungseffizienz, höhere Schaltfrequenzen und kompakten Formfaktor aus. Die Nachfrage sowohl nach GaN- als auch SiC-basierten Produkten wird in den nächsten zehn Jahren erwartungsgemäß rapide ansteigen. Ausschlaggebend dafür ist die Nachfrage unter anderem nach Elektrofahrzeugen, Wechselrichtern, Servern in Rechenzentren, künstlicher Intelligenz (KI), erneuerbaren Energien, industrieller Leistungsumwandlung und Endverbraucheranwendungen.
„Unsere Kunden profitieren umgehend von den neuen GaN-Produkten dank unmittelbar einsatzbereiter Referenzdesigns, in die Technologien beider Unternehmen integriert sind“, erklärt Chris Allexandre, Senior Vice President und General Manager of Power bei Renesas. „Die Erweiterung unseres Portfolios um GaN-Produkte bekräftigt unser Engagement, Produkte und Technologie zu entwickeln, die das Leben der Menschen vereinfachen. Mit der Bereitstellung robuster und nachhaltiger Leistungshalbleiterlösungen, die Energie sparen, Kosten senken und die Umweltbelastung minimieren, erreichen wir genau dieses Ziel.“
Investitionen in den Bereich Leistungshalbleiter sind ein wichtiger Bestandteil der Strategie von Renesas, um ein nachhaltiges, langfristiges Wachstum zu erzielen. Renesas hat in jüngster Zeit weitere Schritte unternommen, um dieses Marktsegment zu stärken: die Eröffnung der Kofu-Fabrik, einer speziellen 300-mm-Waferfabrik für Leistungshalbleiterprodukte; die Inbetriebnahme einer neuen SiC-Produktionslinie in der Takasaki-Fabrik; und der Abschluss einer Vereinbarung mit Wolfspeed, um die Lieferung von SiC-Wafern für die nächsten zehn Jahre sicherzustellen. Mit der GaN-Technologie kann Renesas nun noch umfassendere Leistungshalbleiterlösungen anbieten, um den wachsenden Anforderungen der Kunden für ein breites Anwendungsspektrum gerecht zu werden.
Gleichzeitig mit dem Abschluss der Übernahme von Transphorm bringt Renesas 15 neue Winning Combinations auf den Markt. Dabei handelt es sich um sofort einsatzbereite Referenzdesigns, die die neuen GaN-Produkte mit dem Portfolio von Renesas in den Bereichen Embedded Processing, Power, Connectivity und Analog kombinieren. Hierzu gehören die Designs der Automotive-GaN-Technologie von Transphorm, die in Bordbatterieladegeräten sowie 3-in-1-Antriebslösungen für Elektrofahrzeuge integriert sind.
Einige Beispiele sind:
- Bordbatterieladegerät mit 500 W für 2-Rad-EV
- 3-in-1 EV-Unit: Wechselrichter, integriertes Ladegerät, DC/DC-Wandler
- AC/DC-Adapter mit 240 W und 48 V erweitertem Leistungsbereich
- DAB-System mit bidirektionaler digitaler Leistung (3,6 kW)
Das 2007 in Goleta, Kalifornien, gegründete Unternehmen Transphorm hat seine Ursprünge an der Universität von Kalifornien in Santa Barbara und in der Wide-Bandgap-Industrie. Transphorm zeichnet sich durch einzigartiges technologisches Know-how aus und ist damit ein führender Innovationstreiber auf dem Gebiet der GaN-Halbleiter. Das Unternehmen entwickelt, fertigt und vertreibt hochleistungsfähige sowie hochzuverlässige GaN-Produkte für ein breites Anwendungsspektrum im Bereich der Hochspannungs-Leistungsumwandlung.
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