TTI Europe bietet 600-V Power-MOSFETs der E-Serie von Vishay im PowerPAK^® 8 x 8LR mit Oberseitenkühlung an

Neues kompaktes MOSFET-Gehäuse sorgt für hohe Wärmekapazität, Strom- und Leistungsdichte.

TTI, IP&E Europe, ein führender Spezialdistributor für elektronische Bauteile, führt ab sofort die vierte Generation der 600-V-Power-MOSFETs der Serie SiHR080N60E E von Vishay. Der im neuen PowerPAK^® 8 x 8LR-Gehäuse verfügbare Baustein bietet eine hohe Effizienz und Leistungsdichte für Telekommunikations-, Industrie- und Rechenanwendungen.

„Die Anwendungen der Kunden erfordern zunehmende Effizienz und Leistungsdichte in immer kleineren Bauformen. Daher freuen wir uns, unsere Kunden mit diesem neuen Baustein unterstützen zu können, der im Vergleich zum D2PAK bessere Leistungswerte und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht“, erklärt Markus Walz, Business Development Manager Europe, TTI Inc.

Der SiHR080N60E-Baustein hat die branchenweit niedrigste FOM (Figure-of-Merit)-Kennzahl, was zu geringeren Leitungs- und Schaltverlusten führt und damit Energie spart und die Effizienz erhöht. Das Gehäuse bietet außerdem einen Kelvin-Anschluss für verbesserte Schalteigenschaften.

Dank der Oberseitenkühlung und des extrem niedrigen Wärmewiderstands (Rthjc) zwischen Sperrschicht und Gehäuse (Drain) von nur 0,25 °C/W bietet der Baustein eine hervorragende Wärmekapazität, die 2,25-mal besser ist als die eines D2PAK Gehäuses. Das Gullwing-Design bietet außerdem eine hervorragende Beständigkeit gegenüber Temperaturewechseln, welche mehr als 1000 Zyklen übersteht.

Der SiHR080N60E misst nur 10,2 x 7,9 x 1,6 mm. Zudem hat das PowerPAK 8 x 8LR-Gehäuse eine um 52 % kleinere Grundfläche als das D2PAK-Gehäuse bei nur 36 % der Höhe, wodurch Elektronikentwickler Platz sparen können.

Zusätzlich liefert das PowerPAK 8 x 8LR-Gehäuse bei gleichem Durchlasswiderstand einen um 45 % höheren Strom als das D2PAK-Gehäuse, was eine deutlich höhere Nennleistung und Leistungsdichte ermöglicht.

Der SiHR080N60E wurde mit besonderem Augenmerk auf Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und DC/DC-Wandlerblöcke entwickelt und eignet sich für 3-kW-Stromversorgungslösungen in Anwendungen wie beispielsweise Servern, Edge Computing, Supercomputern und Datenspeichern, USV, Telekommunikation, Solarwechselrichtern sowie Bewegungssteuerung, Motorantrieben und Akkuladegeräten.

Der Baustein ist RoHS-konform und halogenfrei und wurde konzipiert, um Überspannungstransienten im Avalanche-Modus mit garantierten Grenzwerten durch 100%ige UIS-Tests zu widerstehen.

„Wir bei TTI arbeiten eng mit unseren geschätzten Partnern zusammen, um unseren Kunden die neuesten elektronischen Komponenten zu bieten, die alle Stufen des Leistungsumwandlungsprozesses unterstützen, damit sie ihre Designs weiterentwickeln können“, so Markus Walz abschließend. „Das neue MOSFET-Gehäuse ist die jüngste Ergänzung in unserem umfangreichen Vishay-Produktsortiment, sodass unsere Kunden auf ein breites Angebot von Komponenten für all ihre Bedürfnisse zurückgreifen können – und zwar alles aus einer Hand.“

www.ttieurope.com

  Fordern Sie weitere Informationen an…