Infineon kündigt StrongIRFET™ 2 30 V-Leistungs-MOSFET-Portfolio für Massenmarkt-Anwendungen an
Die Infineon Technologies AG bringt die neuen StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs mit 30 V auf den Markt und erweitert damit die existierende StrongIRFET 2-Familie, um der wachsenden Nachfrage nach 30-V-Lösungen im Massenmarkt zu begegnen.
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Die neuen Leistungs-MOSFETs wurden für hohe Robustheit und Benutzerfreundlichkeit optimiert. Sie wurden speziell für die Anforderungen eines breiten Anwendungsspektrums entwickelt und ermöglichen so eine hohe Design-Flexibilität. Zu den Anwendungen zählen industrielle Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe, batteriebetriebene Anwendungen, Batteriemanagementsysteme und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV).
Im Vergleich zu vorherigen Generationen verbessert die neue StrongIRFET 2 30 V-Technologie den Durchlasswiderstand (R DS(on)) um bis zu 40 Prozent und senkt die Gate-Ladung (Q g) um bis zu 60 Prozent. Das sorgt für höhere Energieeffizienz und verbessert die Systemleistung insgesamt bei gleichzeitig hervorragender Robustheit. Die neuen Leistungs-MOSFETs ermöglichen zudem ein einfaches Design-in und bieten vereinfachte Produktservices. Durch das hervorragende Preis-Leistungs-Verhältnis sind die neuen Leistungs-MOSFETs besonders für Designer geeignet, die an einer praktischen Auswahl und Beschaffung interessiert sind.
Verfügbarkeit
Die StrongIRFET 2 Leistungs-MOSFETs in 30 V sind ab sofort im TO-220 Gehäuse erhältlich. Bis Ende 2024 wird das Portfolio in einer breiteren Palette von Standard-Gehäusen und Pin-Outs verfügbar sein, darunter DPAK, D²PAK, PQFN und SuperSO8.
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