EiceDRIVER™ 125-V-High-Side-Gate-Treiber von Infineon schützt batteriebetriebene Anwendungen im Fehlerfall
In batteriebetriebenen Anwendungen wie Motorantrieben und Schaltnetzteilen erfordert die Architektur der Stromversorgung häufig, im Fehlerfall ein Modul von der Hauptversorgungsschiene abzutrennen.
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Dafür werden üblicherweise High-Side-Trennschalter (z.B. MOSFETs) eingesetzt, um zu verhindern, dass ein Lastkurzschluss die Batterie beeinträchtigt. Die Infineon Technologies AG bringt nun den EiceDRIVER™ 1EDL8011 auf den Markt, einen High-Side-Gate-Treiber zum Schutz batteriebetriebener Anwendungen im Fehlerfall, beispielsweise kabellose Elektrowerkzeuge, Roboter, E-Bikes und Staubsauger.
Mit seinem hohen Gate-Strom ermöglicht das Bauteil ein schnelles Ein- und Ausschalten von n-Kanal-High-Side-MOSFETs. Es besteht aus einer integrierten Ladungspumpe und einem externen Kondensator, der für einen starken Anlauf sorgt. Die Ladungspumpe liefert die MOSFET-Gate-Spannung bei niedriger Betriebsspannung. Der Gate-Treiber-IC verwaltet den Einschaltstrom und bietet Fehlerschutz. Der UVLO-Schutz (Undervoltage Lockout) bei der Eingangsspannung verhindert, dass das Bauteil unter gefährlichen Bedingungen arbeitet. Der Treiber ist in einem DSO-8-Gehäuse erhältlich und eignet sich daher ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Er verfügt über einen Überstromschutz (OCP), eine anpassbare Strombegrenzung, eine Zeitverzögerung und einen sicheren Anlaufmechanismus mit flexiblem Blanking während der MOSFET-Einschaltübergänge.
Der 1EDL8011 weist einen weiten Betriebsspannungsbereich von 8 V bis 125 V und einen hohen Gate-Sinkstrom von bis zu 1 A auf, was ein effizientes Schalten ermöglicht. Außerdem verfügt das Bauteil über einen extrem niedrigen Ruhestrom im Aus-Zustand von 1 µA, was den Stromverbrauch im Sleep-Modus minimiert. Der Gate-Treiber beinhaltet außerdem eine eine V DS-Sense-Funktion, die die Drain-Source-Spannung des Disconnect-MOSFETs überwacht und bei Überstrom eine Abschaltung auslöst.
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