Neue industrielle CoolSiC MOSFETs 650 V G2 in Q-DPAK- und TOLL-Gehäusen liefern eine verbesserte Leistungsdichte
Um diesen Trend zu unterstützen und Innovationen auf Systemebene weiter voranzutreiben, erweitert die Infineon Technologies AG das Portfolio an diskreten CoolSiC™ MOSFETs 650 V um zwei neue Produktfamilien in Q-DPAK- und TOLL-Gehäusen.
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Bei diesen vielfältigen Produktfamilien mit Ober- und Unterseitenkühlung handelt es sich um Bauteile der CoolSiC™ Generation 2 (G2), die sich durch eine deutlich verbesserte Leistung, Zuverlässigkeit und einfache Bedienung auszeichnen. Die Produktfamilien sind für Schaltnetzteile (Switched-mode Power Supplies; SMPS) mit hoher und mittlerer Leistung ausgelegt, darunter KI-Server, erneuerbare Energien, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, E-Mobilität und humanoide Roboter, Fernseher, Antriebe und Solid-State-Schutzschalter.
Das TOLL-Gehäuse bietet ein hervorragendes Temperaturwechselverhalten (Thermal Cycling on Board, TCoB) und ermöglicht kompakte Systemdesigns, da der Platzbedarf auf der Leiterplatte (PCB) reduziert wird. Bei Verwendung in Schaltnetzteilen können die Herstellungskosten auf Systemebene gesenkt werden. Das TOLL-Gehäuse ist zudem nun für eine erweiterte Liste von Zielanwendungen geeignet, sodass Leiterplattenentwickler die Kosten weiter senken und die Marktanforderungen besser erfüllen können.
Die Einführung des Q-DPAK-Gehäuses ergänzt die laufende Entwicklung der neuen Produktfamilie der oberseitengekühlten (Topside-Cooled; TSC) Produkte von Infineon, zu der CoolMOS™ 8, CoolSiC™, CoolGaN™ und OptiMOS™ gehören. Mit der TSC-Familie können Kunden eine exzellente Robustheit bei maximaler Leistungsdichte und Systemeffizienz zu niedrigen Kosten erreichen. Sie ermöglicht außerdem eine direkte Wärmeableitung von 95 Prozent, sodass beide Seiten der Leiterplatte genutzt werden können, wodurch der Platzbedarf optimiert und parasitäre Effekte reduziert werden.
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