CoolGaN G3-Transistor in neuen Gehäusen mit Silizium-Footprint treibt industrieweite Standardisierung voran
Für die Leistungselektronik spielt die Galliumnitrid-Technologie (GaN) eine entscheidende Rolle, um höchste Leistungsniveaus zu erreichen.
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Bisher haben die GaN-Lieferanten jedoch unterschiedliche Ansätze bei den Gehäusetypen und -größen verfolgt, was zu einer Fragmentierung auf dem Markt und einem Mangel an Footprint-kompatiblen Alternativen für Kunden geführt hat. Um diese Herausforderung zu bewältigen, präsentiert die Infineon Technologies AG den leistungsstarken Galliumnitrid-Transistor CoolGaN™ G3 mit 100 V im RQFN-5x6-Gehäuse (IGD015S10S1) und 80 V im RQFN-3,3x3,3-Gehäuse (IGE033S08S1).
„Die neuen Bauteile sind mit branchenüblichen Silizium-MOSFET-Gehäusen kompatibel. Somit erfüllen sie die Forderung der Kunden nach einem standardisierten Footprint, einer einfacheren Handhabung und einer schnelleren Markteinführung“, sagt Dr. Antoine Jalabert, Produktlinienleiter für Mittel-Volt GaN bei Infineon.
Die CoolGaN G3 100-V-Transistoren werden in einem 5x6 RQFN-Gehäuse mit einem typischen Einschaltwiderstand von 1,1 mΩ erhältlich sein. Zusätzlich wird der 80-V-Transistor in einem 3,3x3,3-RQFN-Gehäuse mit einem typischen Widerstand von 2,3 mΩ verfügbar sein. Damit bieten die neuen Transistoren erstmals ein Footprint-Design, das eine einfache Multi-Sourcing-Strategie sowie komplementäre Layouts zu siliziumbasierten Designs ermöglicht. In Kombination mit GaN sorgen die neuen Gehäuse für eine niederohmige Verbindung und geringe parasitäre Effekte, wodurch eine hohe Transistorleistung ohne Änderung der Grundfläche erreicht wird.
Darüber hinaus ermöglicht diese Kombination aus Chip und Gehäuse eine hohe Robustheit gegenüber Temperaturschwankungen sowie eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit, da die Wärme aufgrund der größeren freiliegenden Oberfläche und der höheren Kupferdichte besser verteilt und abgeführt wird.
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