Toshiba bringt neue Leistungs-MOSFETs auf den Markt

Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) kündigt die Einführung zweier neuer N-Kanal-Leistungs-MOSFETs an: 80 V TPM1R908QM und 150 V TPM7R10CQ5. Die Neuzugänge im Sortiment nutzen das innovative Gehäuse SOP Advance(E) von Toshiba , welches die Leistungsfähigkeit von Schaltnetzteilen SMPS) für anspruchsvolle Industrieanlagen (u. a. Rechenzentren und Kommunikations-Basisstationen) erheblich verbessern kann.

Das neue Gehäuse SOP Advance(E) von Toshiba stellt eine wesentliche Verbesserung gegenüber dem bisherigen Modell SOP Advance(N) dar. Es reduziert den Gehäusewiderstand um ca. 65 % und den Wärmewiderstand um ca. 15 %. Diese Verbesserungen des Gehäuses ermöglichen eine höhere Geräteleistung. Obwohl Toshibas 80 V TPM1R908QM dieselbe Nennspannung wie das bisherige Produkt TPH2R408QM hat, punktet es im Vergleich zu diesem mit einer Reduzierung des DrainSource-Einschaltwiderstands (RDS(ON)) um ca. 21 % und des Wärmewiderstands zwischen Kanal und Gehäuse (Rth(ch-c)) um ca. 15 %. Ebenso werden beim 150 V TPM7R10CQ5 ein um ca. 21 % niedrigerer RDS(ON)-Wert und einen um ca. 15 % niedrigerer Rth(ch-c)-Wert erreicht als bei Toshibas bisherigen Modell TPH9R00CQ5 – ebenfalls bei gleicher Spannung. TPM7R10CQ5 verfügt über eine Hochgeschwindigkeits-Body-Diode für mehr Effizienz bei der Synchrongleichrichtung.

Die Verringerung des Einschaltwiderstands und die Unterdrückung des Temperaturanstiegs aufgrund des verbesserten Wärmewiderstands führen insgesamt zu einem niedrigeren Einschaltwiderstand, selbst bei Berücksichtigung positiver Temperatureigenschaften des RDS(ON). Die Kombination beider Faktoren führt letztendlich bei kritischen Anwendungen zu einer Senkung der Verluste und einer Steigerung der X Effizienz. Als kritische Anwendungen gelten beispielsweise Schaltnetzteile für Industrieanlagen, darunter Rechenzentren und Kommunikations-Basisstationen.

Die Drain-Source-Spannung (VDSS) des TPM1R908QM beträgt 80 V, der maximale Drainstrom (ID) 238 A (Tc=25 °C) und der maximalen RDS(ON)1,9 mΩ (VGS=10 V). Der TPM7R10CQ5 hat eine VDSS von 150 V, einen ID von 120 A (Tc=25 °C) und einen maximalen RDS(ON) von 7,1 mΩ (VGS=10 V). Die Kanaltemperatur (Tch) beträgt bei beiden Produkten 175 °C und der maximale Rth(ch-c)-Wert 0,6 °C/W (Tc=25 °C). Das Gehäuse SOP Advance(E) misst typischerweise 4,9 mm × 6,1 mm. Zur weiteren Unterstützung des Schaltungsdesigns von Schaltnetzteilen bietet Toshiba neben hochpräzisen G2-SPICE-Modellen zur Simulation des Einschwingverhaltens auch ein G0-SPICE-Modell für die schnelle Überprüfung der Funktion einer Schaltung an.

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