Neue CoolSiC™ MOSFETs 2000 V von Infineon bieten höhere Leistungsdichte ohne Abstriche bei der Systemzuverlässigkeit

Die Infineon Technologies AG hat die neuen CoolSiC™ MOSFETS 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse auf den Markt gebracht und begegnet damit der Nachfrage nach einer höheren Leistungsdichte, ohne Abstriche bei der Systemzuverlässigkeit zu machen, selbst unter anspruchsvollen Hochspannungs- und Schaltfrequenzbedingungen.

Die neuen CoolSiC™ MOSFETs 2000 V von Infineon sind die ersten diskreten Siliziumcarbid-Bauteile mit einer Durchbruchspannung von 2000 V auf dem Markt.

Die CoolSiC MOSFETs erlauben eine höhere Zwischenkreisspannung im System, sodass die Leistung gesteigert werden kann, ohne den Strom zu erhöhen. Es handelt sich um das erste diskrete Siliziumkarbid-Bauteil mit einer Durchbruchspannung von 2000 V auf dem Markt und ist in einem TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 14 mm und einer Luftstrecke von 5,4 mm erhältlich. Mit ihren geringen Schaltverlusten eignen sich die Bauteile bestens für Solaranlagen (z.B. String-Wechselrichter) sowie für Energiespeichersysteme und das Laden von Elektrofahrzeugen.

Die CoolSiC MOSFET 2000 V Produktfamilie ist ideal für Systeme mit hoher Zwischenkreisspannung von bis zu 1500 V DC geeignet. Im Vergleich zu 1700-V-SiC-MOSFETs bieten die Bauteile auch für 1500-V DC-Systeme eine ausreichend hohe Überspannungsmarge. Sie liefern eine Benchmark-Gate-Schwellenspannung von 4,5 V und sind mit einer robusten Body-Diode für harte Kommutierung ausgestattet. Dank der .XT-Verbindungstechnologie bieten sie eine ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit und erlauben damit eine marktführende Leistungsdichte. Außerdem sind sie sehr feuchtigkeitsbeständig.

Zusätzlich zu den CoolSiC MOSFETs 2000 V wird Infineon in Kürze auch die passenden CoolSiC-Dioden auf den Markt bringen: Im dritten Quartal 2024 wird zunächst das 2000-V-Diodenportfolio im TO-247PLUS 4-Gehäuse kommen, gefolgt vom 2000-V-CoolSiC-Diodenportfolio im TO-247-2-Gehäuse im vierten Quartal 2024. Die Dioden sind besonders für Solaranwendungen geeignet. Ein passendes Gate-Treiber-Portfolio ist ebenfalls erhältlich.

Verfügbarkeit
Die CoolSiC MOSFETs 2000 V sind ab sofort erhältlich. Zusätzlich bietet Infineon mit dem EVAL-COOLSIC-2KVHCC auch ein passendes Evaluierungsboard an. Entwickler*innen können das Board als präzise universelle Testplattform nutzen, um alle CoolSiC MOSFETs und Dioden 2000 V und die kompakten EiceDRIVER™-Einkanal-isolierten-Gate-Treiber 1ED31xx durch Doppelpuls- oder kontinuierlichen PWM-Betrieb zu testen. Weitere Informationen sind verfügbar hier.

www.infineon.com

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